Корпорации Intel и Micron объявили о создании высокоскоростной NAND флэш-памяти, которая обеспечивает передачу данных со скоростью в пять раз превышающую скорость существующих модулей флэш-памяти выполненых по технологии NAND.
IM Flash Technologies, совместное предприятие Micron and Intel разработали новую технологию производства флэш-памяти, которая позволяет поднять скорость чтения для флэш-памяти до 200 Мб/с, а скорость записи - до 100 Мб/с. Для сравнения, следует отметить, что скоростные характеристики традиционной NAND флэш-памяти ограничены 40 Мб/с для чтения данных и 20 Мб/с для записи.
Новый тип высокоскоростной флэш-памяти создавался в соответствии с последней версией спецификаций ONFi 2.0, которые оговаривают улучшение быстродействия флэш-памяти NAND, в первую очередь, за счёт ускорения работы интерфейса ввода-вывода. Новая флэш-память использует высокоплотные четырехуровневые микросхемы нового поколения, способные работать на повышеной тактовой частоте.
Флэш-память, выполненная по новой технологии, будет использоваться в гибридных жестких дисках, в цифровых видеокамерах, а также воспользуется преимуществами USB 3.0, которая пока находится в разработке. Как известно, USB 3.0 предложит пропускную способность данных на уровне 4,8 гигабит в секунду, что в 10 раз превышает пропускную способность интерфейса USB 2.0.
0 коммент.:
Отправить комментарий